| 在晶體的生長(zhǎng)與襯底的制備、氧化工藝、外延工藝中以及化學(xué)氣相淀積（CVD）技術(shù)中，均要用到氫氣。半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)氣體純度要求極高。純氫和高純氫是電子工業(yè)用氫的普遍標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)博進(jìn)化科技有限公司開(kāi)發(fā)甲醇裂解制氫，經(jīng)PSA提純，所產(chǎn)氫氣完全可以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。 |
| （1）晶硅的制備需要用到氫，當(dāng)硅用氯化氫生成三氯氫硅SiHCl3后，經(jīng)過(guò)分餾工藝分離出來(lái)，在高溫下用氫還原，達(dá)到半導(dǎo)體需求的純度，反應(yīng)過(guò)程為： |
| SiHCl3 + H2 →Si + 3HCl |
| 當(dāng)用于氫氧合成氧化，常壓下將高純氫與高純氧通人石英管內(nèi)，使之在一定的溫度下燃燒，生成純度很高的水，水汽與硅反應(yīng)生成高質(zhì)量的SiO2膜。在外延工藝中，用于硅氣相外延四氯化硅或三氯氫硅在加熱的硅襯底表面與氫發(fā)生反應(yīng)，還原出硅沉積到硅襯底上，生成外延層的過(guò)程為： |
| SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl |
| SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl |
| 上述過(guò)程對(duì)氫的純度要求很高。氫氣中含有的微量一氧化碳和二氧化碳雜質(zhì)會(huì)使襯底氧化，生成多晶硅。如果含有甲烷，則會(huì)生成碳化硅進(jìn)人外延層，引起缺陷。過(guò)去硅外延時(shí)，要求含氧量小于1×10-6，露點(diǎn)低于-70℃，現(xiàn)在要求更苛刻，在砷化鎵液相外延時(shí)，當(dāng)氫氣中含氧量降到0.03×10-6，露點(diǎn)低于-90℃時(shí)，器件壽命可達(dá)104小時(shí)以上。 |
| （2）電真空材料和器件如鎢和鉬的生產(chǎn)過(guò)程中，用氫氣還原氧化物粉末，再加工制成線材和帶材，若其中所用的氫氣的純度越高，水含量越低，還原溫度越低，所得鎢、鉬粉末就越細(xì)。對(duì)氫閘管、離子管、激光管等各種充氣電子管的填充氣體純度要求更高，顯像管制造中所使用的氫氣純度大于99.99%。 |
| （3）在制造非晶硅疊層薄膜、石英玻璃纖維中，也需要用到純度很高的氫氣。 |
